安森美半导体超级结MOSFET技术,始终摩鑫平台以高要求严于标准

2020-09-21

近些年来,摩鑫平台数字科技的进步,如微处理器运算效能不断提升,带给深入研发新一代MOSFET更多的动力,也使得MOSFET本身的操作速度越来越快,几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。由于MOSFET元件的性能逐渐提升,除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位信号处理的场合,也有越来越多模拟信号处理的集成电路可以用MOSFET来实现。而安森美半导体凭借超级结MOSFET技术,成为该领域内的佼佼者。

安森美半导体密切关注市场动态,不断研究创新,使MOSFET技术走向高效率、高频化、高密度、小体积、高可靠性及长寿命的发展道路,跟随目前“万物联网”背景下加速电子化水平进程。安森美半导体推出新的900V和1200V两个碳化硅(SiC)MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。这两款新的器件能够提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。同时其快速本征二极管具有低反向恢复电荷,可以显著降低损耗,提高工作频率以及整体方案的功率密度。

小芯片尺寸进一步增强高频工作,达至更小的器件电容和更低的门极电荷-Qg(低至220nC),从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于Si的MOSFET提高能效,降低电磁干扰(EMI),并可使用更少(或更小)的无源器件。极强固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能,从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命,这对高要求的现代电源应用至关重要。

与此同时,1200V器件的额定电流高达103A(最大ID),而900V器件的额定电流高达118A。对于需要更高电流的应用,安森美半导体的MOSFET可易于并联运行,因其正温系数/不受温度影响。这也使得新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩,提供的性能水平是其他硅(Si)MOSFET根本无法实现的。

安森美半导体一直秉持着高效能创新的研发理念,坚持提供高性能、高可靠性的各类器件,其中也包括超级结MOSFET。除此之外,安森美半导体还将实现更多的低耗高要求方案。期待安森美半导体未来的创新与升级。


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